| 发明名称 | 场效应晶体管,特别是双扩散场效应晶体管,及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明主要涉及场效应晶体管(10)，其中控制区(36)和连接区(40)被安置在其绝缘沟槽(134)内。利用这种装置可提供具有极佳电特性的场效应晶体管(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN100583448C | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200480016422.2 | 申请日期 | 2004.05.13 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | K·米勒;K·勒施劳 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;杨松龄 |
| 主权项 | 1.一种双扩散场效应晶体管(210)，具有：漂移区(216)，连接漂移区(216)的沟槽(234)，所述沟槽包含沟槽边缘、一些侧壁和沟槽底，场效应晶体管(210)的控制区(236)，所述控制区被安置在所述沟槽(234)内，所述场效应晶体管(210)的源连接区(222)和漏区(240)，形成场效应晶体管(210)的倒置沟道(286)的区域(218)，所述区域通过电介质与所述控制区(236)隔离，其中，所述源连接区(222)是安置在沟槽(234)的外面，而所述漏区(240)是安置在沟槽(234)内，其中，所述沟槽(234)在至少一部分具有与另一个绝缘沟槽(248，250)相同的深度，所述另一个绝缘沟槽用于将场效应晶体管(210)与其它元件隔开，其中，所述绝缘材料(242)被安置在所述控制区(236)下的沟槽底和所述控制区(236)之间；所述控制区(236)和所述绝缘材料(242)之间的最深边界被安置在包含所述控制区(236)的沟槽上半部分内，或在包含所述控制区(236)的沟槽上1/3部分内；以及其中，所述沟槽(234)在所述控制区(236)下比在安置于所述沟槽(234)内的所述漏区(240)下深一些。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||