| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在制造半导体器件的过程中，在晶片的背面上形成第一吸杂层，然后在芯片的背面和侧表面上形成第二吸杂层，由此使得这些吸杂层作为阻止在装配工序中背面研磨之后产生的金属杂质的捕获点。 | ||
| 申请公布号 | CN100583399C | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200510059525.3 | 申请日期 | 2005.03.25 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 大汤静宪;小此木坚祐;小林宏尚;滨田耕治 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/322(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杨林森;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其上安装了背面研磨芯片，其中，所述半导体器件包括通过将杂质引入到芯片的研磨背面的损伤层而得到的吸杂层，所述杂质包含氧，在所述吸杂层的深度处的氧浓度为2×1019/cm3或更高。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||