发明名称 |
电子元件及其制造方法 |
摘要 |
一种电子元件具有具备一种结构的外部电极,在该结构中第二烧结电极层堆叠在第一烧结电极层上。第一和第二烧结电极层被精细地烧结,并且外观破损和电气连接可靠性失效不易在该电子元件中产生。外部电极(7,8)具有第一烧结电极层(7a,8a)和第二烧结电极层(7b,8b)。第一烧结电极层(7a,8a)包含包括有碱金属的第一硅硼酸盐玻璃,并且当除了硼之外所有包含的元素为100wt%时,第一硅硼酸盐玻璃包括85-95wt%的硅以及0.5-1.5wt%的碱金属。第二烧结电极层(7b,8b)包含包括有碱金属的第二硅硼酸盐玻璃,并且当除了硼之外所有包含的元素为100wt%时,第二硅硼酸盐玻璃包括65-80wt%的硅以及3.5-8.0wt%的碱金属。 |
申请公布号 |
CN100583328C |
申请公布日期 |
2010.01.20 |
申请号 |
CN200580000629.5 |
申请日期 |
2005.02.14 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
宇熊裕司 |
分类号 |
H01G4/12(2006.01)I;H01G4/232(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
李 玲 |
主权项 |
1.一种电子元件,包括,电子元件主体及其表面上形成的外部电极,所述外部电极包括第一烧结电极层以及第二烧结电极层,在所述第一烧结电极层上层叠所述第二烧结电极层,所述第一烧结电极层主要成分包含的金属不同于所述第二烧结电极层主要成分包含的金属,其中所述第一烧结电极层包含含碱金属的第一硅硼酸盐玻璃,根据用波长散射X射线微分析仪的分析,基于除硼之外的所有元素的内含重量设为100%时,所述第一硅硼酸盐玻璃包括85%到95%重量比的硅以及0.5%到1.5%重量比的碱金属;以及所述第二烧结电极层包含含碱金属的第二硅硼酸盐玻璃,根据用波长散射X射线微分析仪的分析,基于除硼之外的所有元素的内含重量设为100%时,所述第二硅硼酸盐玻璃包括65%到80%重量比的硅以及3.5%到8.0%重量比的碱金属。 |
地址 |
日本京都府 |