发明名称 |
具有缺陷和污染物的衬底的再生 |
摘要 |
在工艺(110)中,待再生的测试衬底被系统(100)识别,并且储存到晶盒(118中),每一个晶盒优选被赋予唯一的识别码,所述识别码可以包括字母数字符或其它符号。虽然结合硅测试衬底和晶盒描述了所示出的系统,但是应该理解,一些实施例可以针对其它类型的测试半导体和非半导体衬底,包括绝缘体上硅(SOI)、砷化镓、锗、硅锗、玻璃和其它测试衬底。并且,应该理解,可以使用除晶盒之外的其它储存容器或箱柜。一个实例是用于运输300mm衬底的FOUP。在计算机数据库(120)中,系统(100)存储待再生的各个测试衬底的识别码以及各个这样的测试衬底被储存在其中的特定晶盒(118)的识别码。系统(100)包括控制器,述控制器包括维护晶盒数据库(120)的合适计算机或计算机网络(124)。读码器(126)从待再生的各个测试衬底(130)读取识别码,以存储在数据库(120)中。 |
申请公布号 |
CN101632080A |
申请公布日期 |
2010.01.20 |
申请号 |
CN200680050321.6 |
申请日期 |
2006.10.31 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
克里什纳·维帕;亚什贾·布特那格尔;罗纳德·拉亚达亚;王宏 |
分类号 |
G06F19/00(2006.01)I |
主分类号 |
G06F19/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
赵 飞 |
主权项 |
1.一种再生用于测试半导体制造工具的测试衬底的方法,包括:(a)从多个测试衬底读取多个测试衬底识别数据;(b)针对各个读取的测试衬底,从数据库获得描述所述读取的测试衬底的存储的测试衬底数据;以及(c)对于各个读取的测试衬底,指定与所述读取的测试衬底的所述存储的测试衬底数据相关的晶格缺陷减少处理。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |