发明名称 | 一种基于二氧化钛薄膜的紫外电致发光器件 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于二氧化钛薄膜的紫外电致发光器件,在硅衬底的正面自下而上依次形成SiO<sub>2</sub>薄膜、TiO<sub>2</sub>薄膜和透明ITO电极,在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明同时公开了该紫外电致发光器件的制备方法。本发明的器件可以在偏压下产生来自于TiO<sub>2</sub>薄膜的紫外电致发光,并且可以通过调节SiO<sub>2</sub>薄膜的厚度和致密度来调节紫外电致发光的强度。器件的结构和实现方式简单,并且,该器件的制备方法所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。 | ||
申请公布号 | CN101630713A | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
申请号 | CN200910101385.X | 申请日期 | 2009.08.03 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 马向阳;章圆圆;陈培良;杨德仁 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 胡红娟 |
主权项 | 1.一种基于二氧化钛薄膜的紫外电致发光器件,其特征在于:在硅衬底(1)的正面自下而上依次是SiO2薄膜(2)、TiO2薄膜(3)和ITO电极(4),在硅衬底背面沉积欧姆接触电极(5)。 | ||
地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |