| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 具有下部电极(15)、强电介质膜(16)以及上部电极(17)的强电介质电容器由层间绝缘膜(18)覆盖。下部电极(15)一端被加工成梳齿状，为了与其残存部匹配，在层间绝缘膜(18)上形成有多个接触孔(21)。即，在多个接触孔(21)中的至少两个接触孔的下端之间，在下部电极(15)上设置有间隙(切口)。并且，经由接触孔(21)与下部电极(15)连接的布线(25)形成在层间绝缘膜(18)上。 | ||
| 申请公布号 | CN100583436C | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200810090099.3 | 申请日期 | 2003.09.05 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 高松知广;三浦寿良;中村光宏;立花宏俊;小室玄一 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具有：强电介质电容器，其具有下部电极、强电介质膜以及上部电极；层间绝缘膜，其形成在上述强电介质电容器上，相对于上述下部电极形成有多个接触孔；布线，其形成在上述层间绝缘膜上，经由上述接触孔与上述下部电极连接；阻挡金属膜，其形成在上述下部电极和上述布线之间，上述半导体装置的特征在于，上述阻挡金属膜具有：第一TiN膜，其与上述下部电极直接接触；Ti膜，其形成在上述第一TiN膜上；第二TiN膜，其形成在上述Ti膜上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||