用于器件特定填充以提高退火均匀性的结构和方法

摘要

公开了用于器件特定填充以提高退火均匀性的结构和方法。通过在晶片上分布具有不同半导体材料的填充结构，使得在每个区域内，最好在每个子区域内获得在不同半导体材料之间大致相同的比例和密度，从而获得均匀反射率。可选地，其也可以通过如下来实现，通过在晶片上分布包含一个或多个具有可变的不同半导体材料比例的混合填充结构的晶片填充结构，使得在每个区域内，最好在每个子区域内获得在不同半导体材料之间大致相同的比例。可选地，其也可以通过如下来实现，通过在晶片上分布包括具有不同厚度的半导体材料的填充结构，使得在每个区域内，最好在每个子区域内获得在不同厚度的半导体材料之间大致相同的总体比例。

主权项

1.一种半导体结构，包括：晶片；在所述晶片上的多个第一器件，其中所述第一器件包括具有第一反射率的第一材料；在所述晶片上的多个第二器件，其中所述第二器件包括具有第二反射率的第二材料，并且其中所述第一反射率不同于所述第二反射率；以及在所述晶片上的多个第一填充结构和第二填充结构，其中所述第一填充结构包括所述第一材料，以及所述第二填充结构包括所述第二材料，以及其中所述第一填充结构和所述第二填充结构在所述晶片上相对于所述第一器件和所述第二器件的分布使得在所述晶片上的反射率大致均匀。