发明名称 湿法刻蚀中避免发生侧向侵蚀的方法
摘要 本发明提供一种湿法刻蚀中避免发生侧向侵蚀的方法,包括以下步骤:对衬底进行六甲基二硅胺疏水处理;在所述衬底上涂布一层抗反射材料;在所述抗反射材料上面涂布一层光刻胶;进行光刻处理,去除部分所述光刻胶;进行湿法刻蚀处理,去除未被光刻胶覆盖的所述抗反射材料,形成衬底刻蚀窗口;在所述衬底刻蚀窗口内侧涂布显影材料。本发明避免了在湿法刻蚀中侧向侵蚀的情况发生,保证了湿法刻蚀的质量。
申请公布号 CN101630630A 申请公布日期 2010.01.20
申请号 CN200910055896.2 申请日期 2009.08.04
申请人 上海集成电路研发中心有限公司 发明人 朱骏
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所 代理人 郑 玮
主权项 1.一种湿法刻蚀中避免发生侧向侵蚀的方法,包括以下步骤:S1:对衬底进行六甲基二硅胺疏水处理;S2:在所述衬底上涂布一层抗反射材料;S3:在所述抗反射材料上面涂布一层光刻胶;S4:进行光刻处理,去除部分所述光刻胶;S5:进行湿法刻蚀处理,去除未被光刻胶覆盖的所述抗反射材料,形成衬底刻蚀窗口;其特征在于:步骤S5之后还包括步骤S6:在所述衬底刻蚀窗口侧壁上涂布显影材料。
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