| 发明名称 | 在平滑衬底上形成高-K介电层 | ||
| 摘要 | 在平滑的硅衬底上形成缓冲层和高-k金属氧化物介电层。衬底平滑可以减小高-k金属氧化物栅电介质的柱状生长。在沉积之前可以使用羟基末端使衬底表面饱和。 | ||
| 申请公布号 | CN100582296C | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200580017642.1 | 申请日期 | 2005.06.24 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 贾斯廷·布拉斯克;杰克·卡瓦列罗斯;马克·多齐;马修·梅茨;苏曼·达塔;乌代·沙阿;吉尔伯特·杜威;罗伯特·赵 |
| 分类号 | C23C16/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王 英 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在衬底上形成高-k栅介电层，该衬底具有使用原子力显微镜测得的小于约3埃的均方根表面偏差，该方法还包括将所述衬底暴露在具有溶解的臭氧和声波能量的槽中。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||