发明名称 高频加热装置
摘要 提供一种能够抑制在半导体开关元件中热量损耗和噪声的发生并且能够在限制条件下无故障地导通IGBT的反相器电路。一种谐振型高频加热装置包括:直流电源;由连接到所述直流电源的两个半导体开关元件构成的串联电路;包括连接到所述两个半导体开关元件之一的两端的泄露变压器的初级绕组和电容器的串联电路;以及驱动部件,用于分别驱动两个相应的半导体开关元件,其中驱动部件中包括可变空载时间形成电路,其对于小于预定值的频率,保持空载时间不变,而对于等于或大于预定频率的频率,迅速地增加空载时间。并且其中建立一种限制,以便在所述开关频率变得更高时在不加宽空载时间。
申请公布号 CN100584130C 申请公布日期 2010.01.20
申请号 CN200580013283.2 申请日期 2005.04.26
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 末永治雄;守屋英明;酒井伸一;森川久;城川信夫;木下学
分类号 H05B6/68(2006.01)I 主分类号 H05B6/68(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 黄小临;王志森
主权项 1.一种高频加热装置,用于驱动磁控管,包括:直流电源;由两个半导体开关元件构成的串联电路;谐振电路,其中,泄漏变压器的初级绕组和电容器连接,所述串联电路与所述直流电源并联,并且所述谐振电路的一端连接到所述串联电路的中心点,所述谐振电路的另一端连接到在AC等效电路中的所述直流电源的一端;驱动部件,用于分别驱动所述半导体开关元件;整流部件,连接到所述泄漏变压器的次级绕组;以及,磁控管,连接到所述整流部件;以及可变空载时间形成电路,用于响应于开关频率而改变空载时间,在所述空载时间中,相应的半导体开关元件同时被截止,其中,提供一个限制,在所述限制下,当增加开关频率时,不进一步加宽空载时间。
地址 日本大阪府