| 发明名称 | 电子器件及其使用 | ||
| 摘要 | 集成电容器结构包括具有第一电容器(60)的第一支路和具有第二电容器(70)的第二支路。第二电容器(70)具有比第一电容器(60)高的电容密度及低的击穿电压。第一支路具有比第二支路短的RC时间常数，从而电压峰值将实质上跟随第一支路。该第一电容器(60)具有足够的电容以存储电压峰值的电荷。在一个实施例中，第二电容器(70)是叠置电容器。该结构适于ESD保护，并且为此可以额外包括二极管(21)和电阻器(22)。 | ||
| 申请公布号 | CN100583437C | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200680014825.2 | 申请日期 | 2006.02.27 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 马雷克·克莱;赖纳·基维特;乌尔里希·席贝尔;汉斯-沃尔夫冈·布兰德;吕迪格·毛佐克 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种集成电容器结构，该集成电容器结构具有输入和至少一个输出，该结构包括第一支路和第二支路，该第一支路连接在该结构的输入和输出之间，并且包括第一电容器，该第二支路连接到输入，并且包括具有比第一电容器高的电容密度以及低的击穿电压的第二电容器，其中，第一支路具有比第二支路短的RC时间常数，从而脉冲电压峰值将跟随第一支路，第一电容器具有的电容能够存储电压峰值的电荷。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||