发明名称 |
极紫外线磁性对比光刻掩模及其制法 |
摘要 |
本发明提供了一种EUV光刻掩模、其制造方法与其使用方法。本发明的一较佳实施例包含了一衬底、配置在所述衬底上的一布拉格反射器、配置在所述布拉格反射器上的一缓冲层、以及配置在所述缓冲层上的一吸收层;所述掩模中的材料具有选择磁性质;在一较佳实施例中,所述缓冲层是一硬磁材料,而所述吸收层是一软磁材料。另一较佳实施例则包含了一种掩模制造方法,其更包含一掩模步骤。在一较佳实施例中,则利用电子镜显微镜而显影出掩模在施加磁场中的磁性质相关型态以检测所述掩模。极紫外线磁性对比光刻掩模及其制法。 |
申请公布号 |
CN101630121A |
申请公布日期 |
2010.01.20 |
申请号 |
CN200910165919.5 |
申请日期 |
2005.08.05 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
S·施瓦兹;S·沃尔姆 |
分类号 |
G03F1/00(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
李家麟 |
主权项 |
1.一种检测一光刻掩模的方法,所述方法包含:提供一多层光刻掩模,其中所述多层光刻掩模的多个层具有选择磁性质;将辐射线导向所述掩模的一图案化表面;以及收集由关于所述磁性质的所述图案化表面所反射的辐射线。 |
地址 |
德国慕尼黑 |