发明名称 制造光学透镜的工艺
摘要 将半导体衬底阳极化,使其成形为光学透镜。在阳极化之前,完成衬底并且在其下表面上具有阳极图案,从而将阳极和衬底加固成为整体结构,其中阳极图案被准确地再现在衬底上。阳极化利用了电解液,一旦由于阳极化而形成氧化部分,电解液即蚀刻掉氧化部分,由此以与阳极图案相匹配的图案产生多孔层。阳极图案引起变化电场强度的平面内分布,通过该变化电场强度,多孔层形成与期望的透镜轮廓互补的形状。当完成了阳极化之后,通过从衬底中蚀刻掉多孔层和阳极图案而使半导体衬底成形为透镜。
申请公布号 CN100581796C 申请公布日期 2010.01.20
申请号 CN200680017004.4 申请日期 2006.05.16
申请人 松下电工株式会社 发明人 本多由明;西川尚之
分类号 B29D11/00(2006.01)I;G02B3/02(2006.01)I;G02B3/00(2006.01)I 主分类号 B29D11/00(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 王玉双
主权项 1.一种制造光学透镜的工艺,所述工艺包括以下步骤:制备半导体衬底,所述半导体衬底具有彼此相对的平坦上表面和平坦下表面;在所述下表面上形成阳极;将所述半导体衬底放置在电解液中;使电流在所述阳极与所述电解液中的阴极之间流动,以转换所述半导体衬底的上表面使各部分之间深度不同,在所述上表面内留下多孔层;以及从所述半导体衬底中去除所述多孔层,以在所述上表面上留下曲面;其特征在于:所述阳极被沉积在所述下表面上以得到加固的结构,并配置为提供电场强度的预定分布,所述电场强度穿过所述半导体衬底的上表面和下表面并且在所述半导体衬底的各部分之间不同,由此提供具有与所述电场强度的分布相匹配的变化深度的多孔层。
地址 日本国大阪府