| 发明名称 | 衬底材料和异质结构 | ||
| 摘要 | 提供一种形成驰豫的绝缘体上SiGe衬底的方法，该衬底具有增强的驰豫、显著降低的缺陷密度和改进的表面质量。该方法包括在第一单晶Si层的表面上形成SiGe合金层。该第一单晶Si层与下面的阻挡层具有界面，该阻挡层抗Ge扩散。然后，在所述界面处或其附近将能够形成缺陷的离子注入到结构中，该缺陷允许机械退耦，此后对包括注入离子的结构进行加热步骤，允许Ge互扩散到整个第一单晶Si层和SiGe层，以便在阻挡层的顶上形成显著驰豫的、单晶和均匀的SiGe层。还提供了具有改进性能的绝缘体上SiGe衬底以及包含该衬底的异质结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100583445C | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200710136480.4 | 申请日期 | 2003.07.15 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·W·拜戴尔;K·E·福格尔;D·A·萨达纳 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李 帆 |
| 主权项 | 1.一种衬底材料，包括：含Si衬底；存在于所述含Si衬底顶上的抗Ge扩散的绝缘区；以及存在于所述绝缘区顶上的显著驰豫的SiGe层，其中所述显著驰豫的SiGe层具有2000nm或者更小的厚度、30％或者更大的测量驰豫值和5×106或者更小的缺陷密度。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||