发明名称 |
磁场发生器和MRI装置 |
摘要 |
本发明着眼于实现用于让使用Hcj相对小的永磁体的磁场发生器的温度特性是可逆的温度控制方法、使用Hcj相对小的永磁体而温度特性是可逆的磁场发生器以及装备有这种磁场发生器的MRI装置,提供一种用于控制磁场发生器温度的方法,该磁场发生器具有一对盘形永磁体和磁轭,所述盘形永磁体极性彼此相反的磁极彼此相对且具有在其之间限定的间隔,所述磁轭为永磁体磁通量形成返回通道,包括这些步骤:温度从室温升高到高于室温的温度,保持该高于室温的温度,温度从高于室温的温度降到室温,因此使永磁体的温度特性是可逆的。 |
申请公布号 |
CN100581454C |
申请公布日期 |
2010.01.20 |
申请号 |
CN200610121228.1 |
申请日期 |
2006.07.14 |
申请人 |
GE医疗系统环球技术有限公司 |
发明人 |
谭凤顺;沈伟俊;华夷和;刘亮 |
分类号 |
A61B5/055(2006.01)I;G05D23/26(2006.01)I;G01R33/383(2006.01)I;G01R33/389(2006.01)I |
主分类号 |
A61B5/055(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
顾 珊;张志醒 |
主权项 |
1.一种磁场发生器,包括:一对盘形永磁体,其极性彼此相反的磁极彼此相对且具有在其之间限定的间隔;以及磁轭,其为永磁体的磁通量形成返回通道;其中每一个永磁体包括去磁作用相对大的第一部分,其由Hcj相对大的磁性材料构成,和去磁作用相对小的第二部分,其由Hcj相对小的磁性材料构成,其中第一部分是永磁体的外周边沿部分,且其中第二部分是位于永磁体的外周边沿部分内部的部分。 |
地址 |
美国威斯康星州 |