发明名称 光学器件
摘要 一种形成光学器件的方法,包括如下步骤:提供包括能够注入或接受第一类型的电荷载体的第一电极的基层;通过沉积无可交联乙烯基或乙炔基的并且在沉积时可溶于溶剂中的第一半导体材料,在第一电极上形成至少部分不溶于溶剂的第一层;通过从溶剂的溶液中沉积第二半导体材料而形成与第一层接触并包括第二半导体材料的第二层;和在第二层上形成能够注入或接受第二类型电荷载体的第二电极,其中在沉积第一半导体材料后通过热、真空和环境干燥处理中的一种或多种方式使该第一层至少部分不可溶。
申请公布号 CN100583486C 申请公布日期 2010.01.20
申请号 CN03823552.8 申请日期 2003.09.03
申请人 剑桥显示技术有限公司;通用电气公司 发明人 R·阿切尔;N·贝尼斯;T·巴特勒;S·西纳;C·弗丹;D·弗塞瑟;M·里德比特;C·墨菲;N·帕特尔;N·飞利浦斯;M·罗伯茨;A·R·杜加尔;刘杰
分类号 H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L51/40(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 任宗华
主权项 1.一种形成光学器件的方法,包括如下步骤:-提供包括能够注入或接受空穴的阳极的基层;-通过沉积无可交联乙烯基或乙炔基的并且在沉积时可溶于溶剂中的第一半导体材料,在所述阳极上形成至少部分不溶于溶剂的第一层;-通过从所述溶剂的溶液中沉积第二半导体材料形成与第一层接触并包括第二半导体材料的第二层;和-在第二层上形成能够注入或接受电子的阴极,其中所述第二半导体材料为包括如下通式(I)的非必要取代的重复单元的聚芴:<img file="C038235520002C1.GIF" wi="421" he="286" />其中R和R′独立地选自氢或非必要取代的烷基、烷氧基、芳基、芳烷基、杂芳基和杂芳烷基,并且R和R′中的至少一个不为氢,以及其中所述第一层包括三芳基胺重复单元或包括聚乙烯基咔唑,在沉积第一半导体材料后通过热、真空和环境干燥处理中的一种或多种方式使该第一层至少部分不可溶。
地址 英国剑桥