| 发明名称 |
PROCESS FOR PRODUCING DOPED GALLIUM ARSENIDE SUBSTRATE WAFERS HAVING LOW OPTICAL ABSORPTION COEFFICIENT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US2010006777(A1) |
申请公布日期 |
2010.01.14 |
| 申请号 |
US20090500037 |
申请日期 |
2009.07.09 |
| 申请人 |
FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH |
发明人 |
KRETZER ULRICH;BORNER FRANK;EICHLER STEFAN;KROPFGANS FRIEDER |
| 分类号 |
H01L21/26;C30B9/00;H01L29/12 |
主分类号 |
H01L21/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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