| 发明名称 | 对非易失性存储器设备进行编程的方法 | ||
| 摘要 | 一种对非易失性存储器设备进行编程的方法。根据一种编程方法，通过施加具有比编程起始脉冲的脉冲宽度更宽的脉冲宽度的虚编程脉冲来执行编程操作。通过施加该编程起始脉冲来执行编程操作。然后，作为编程操作的结果，验证是否已经完成编程。根据另一编程方法，通过施加具有第二脉冲宽度并且已经增加了第二阶跃电压的阶跃形虚编程脉冲来执行编程操作。通过施加具有第一阶跃电压和第一脉冲宽度的编程脉冲来执行编程操作。然后，作为编程操作的结果，验证是否已经完成编程。 | ||
| 申请公布号 | CN101625898A | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200910007649.5 | 申请日期 | 2009.02.16 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 王钟铉 |
| 分类号 | G11C16/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 1.一种对非易失性存储器设备进行编程的方法，包括：通过施加具有比编程起始脉冲的脉冲宽度更宽的脉冲宽度的虚编程脉冲来执行编程操作；通过施加所述编程起始脉冲来执行编程操作；以及作为所述编程操作的结果，验证是否已经完成编程。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||