发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种半导体器件,其中包括在具有晶体管的叠层体中的第一导电层和基板上的第二导电层是电连接起来的。在本发明的半导体器件中设置有使包括在具有晶体管的叠层体中的第一导电层(例如,设置在与晶体管所包括的栅电极相同的层上的导电层;设置在与连接于晶体管的源极或漏极的源极布线或漏极布线相同的层上的导电层;设置在与连接于源极布线或漏极布线的布线相同的层上的导电层等)和设置在基板上的第二导电层(例如,起到天线或连接布线的作用的导电层)电连接的导电层。 |
申请公布号 |
CN100580916C |
申请公布日期 |
2010.01.13 |
申请号 |
CN200610099778.8 |
申请日期 |
2006.06.30 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
高桥秀和 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王以平 |
主权项 |
1.一种半导体器件,包括:薄膜集成电路;与所述薄膜集成电路相连接的第一端子部分;基板,在该基板上在同一层中设置有第二端子部分和与所述第二端子部分相连接的第一导电层;以及贯穿所述第一端子部分、所述第二端子部分、以及所述基板的第二导电层,其中,所述第一端子部分和所述第二端子部分互相重叠,且所述第一端子部分通过所述第二导电层与所述第二端子部分电连接。 |
地址 |
日本神奈川 |