发明名称 |
可变电阻元件和其制造方法以及具备其的存储装置 |
摘要 |
可变电阻元件具备第1电极、第2电极和可变电阻体,该可变电阻体存在于被第1电极和第2电极所夹持的区域中,通过对两电极之间施加电压脉冲从而使电阻变化,在该可变电阻元件中,存在作为电极材料必须使用贵金属电极的制约,有与以往的CMOS工艺的匹配性差的问题。在将过渡金属元素的氧氮化物作为可变电阻体而应用的可变电阻元件中,显示了稳定的转换动作,数据的保持特性良好,写入电流也小。此外,因为作为电极材料并不一定需要贵金属,所以与现有的CMOS工艺的匹配性高且能够容易制造。此外,能够通过氧化由导电性氮化物构成的下部电极表面使可变电阻体材料成膜的简便的工序形成可变电阻元件。 |
申请公布号 |
CN100580930C |
申请公布日期 |
2010.01.13 |
申请号 |
CN200680029245.0 |
申请日期 |
2006.07.21 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
细井康成 |
分类号 |
H01L27/10(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/10(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王 岳;刘宗杰 |
主权项 |
1.一种可变电阻元件,具备第1电极、第2电极和可变电阻体,上述可变电阻体存在于被上述第1电极和上述第2电极所夹持的区域中,通过对上述第1电极和上述第2电极之间施加电压脉冲,从而使上述第1电极和上述第2电极之间的电阻变化,其特征在于,上述可变电阻体是过渡金属元素的氧氮化物。 |
地址 |
日本大阪府 |