| 发明名称 | 相变化内存及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种相变化内存及其制造方法，该相变化内存包含下电极；相变化间隙壁与该下电极接触；电学传导层，具有垂直部分及水平部分，其中该电学传导层经由其水平部分与该相变化间隙壁电学接触；以及，上电极，其中该上电极经由该电学传导层的垂直部分与该电学传导层电学连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101626060A | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200810178629.X | 申请日期 | 2008.11.21 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈达;蔡铭进 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种相变化内存组件，包含：下电极；相变化间隙壁与该下电极接触；电学传导层，具有垂直部分及水平部分，其中该电学传导层经由该水平部分与该相变化间隙壁电学接触；以及上电极，其中该上电极经由该电学传导层的垂直部分与该电学传导层电学连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||