发明名称 |
电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料的制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料的制备方法,原料的组分及体积百分比含量为:镀钨SiC颗粒50%-75%,添加元素0.5%-3%,Cu基体22%-49.5%;其中所述添加元素为Fe、Co、Ni中的一种或几种。复合材料采用混粉、压制、熔渗和复压工艺制备,其中所述Cu基体分为Cu金属粉末及Cu金属块,分别在压制坯料前后加入。本发明采用表面镀钨的SiC颗粒及添加了合金元素,极大改善了物相之间相互的润湿性,因此所制备的材料具有优良的导热率、热膨胀系数和力学性能;所采用的液相熔渗方法具有操作简单、成本低廉、材料致密度高和适合规模化生产的优势。 |
申请公布号 |
CN101624665A |
申请公布日期 |
2010.01.13 |
申请号 |
CN200910055976.8 |
申请日期 |
2009.08.06 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
顾明元;甘可可 |
分类号 |
C22C1/05(2006.01)I;C22C1/10(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
C22C1/05(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
毛翠莹 |
主权项 |
1、一种电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)原料的的组分及体积百分比为:镀钨SiC颗粒50-75%,添加元素0.5-3%,Cu基体22-49.5%;所述添加元素为Fe、Co、Ni中的一种或几种;所述Cu基体中,Cu金属粉末为原料总体积百分比的10-20%,其余为Cu金属块;2)将Cu金属粉末、添加元素粉末及镀钨SiC颗粒混粉,混粉时间为1-20小时,混粉转速为30-100转/分钟;3)在50MPa-150MPa压强下,将混粉后的粉末压制成坯料;4)将Cu金属块与压制成型的坯料在熔渗炉中进行熔渗;熔渗温度为1100-1350℃,熔渗气氛为氢气气氛;熔渗速度为2-5min/mm,熔渗时间=熔渗速度×所制备的复合材料厚度;5)对熔渗完成后的样品进行复压,复压压强为100-500MPa,复压时间为10秒-1分钟;制得电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |