发明名称 |
次级存储器装置、及存取一次级存储器的方法 |
摘要 |
本发明提供一种用以存取一次级存储器的方法及一种次级存储器装置。该次级存储器装置包含至少一管理单元及一控制器。该管理单元包含多个区块,各该多个区块具有多个存储页,且各该多个存储页具有多个磁区,该次级存储器具有多个不可存取磁区。该控制器用以分析对应于一特殊区块的一写入指令,根据该特殊区块的一状态信息而选取至少一可存取磁区,以及程序化写入该写入指令至该特殊区块,其中该状态信息指示该特殊区块的至少一不可存取磁区。借此,根据该状态信息,该方法及该次级存储器装置不仅可忽略该些不可存取磁区,且亦可增强可用的存储器容量。 |
申请公布号 |
CN101625662A |
申请公布日期 |
2010.01.13 |
申请号 |
CN200810176781.4 |
申请日期 |
2008.11.18 |
申请人 |
慧国(上海)软件科技有限公司;慧荣科技股份有限公司 |
发明人 |
郭武吉 |
分类号 |
G06F12/06(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陈 亮 |
主权项 |
1.一种用以存取一次级存储器的方法,该次级存储器包含多个区块,各该多个区块具有多个存储页,且各该多个存储页具有多个磁区,该次级存储器具有多个不可存取磁区,该方法包含下列步骤:程序化写入一初始写入指令至该些区块;该些区块已被写入后,借由程序化写入一初始读取指令至该些区块,以产生一状态信息;以及因应该状态信息,标记至少一区块为一特殊区块,用于一后续存取,该特殊区块具有至少一该些不可存取磁区,其中该状态信息指示该至少一区块的该至少一该些不可存取磁区。 |
地址 |
200433上海市杨浦区国泰路11号A楼18层 |