半导体装置

摘要

本发明的目的在于提高应用由半导体膜构成的二极管的保护电路的性能。在本发明中，在两个输出输入端子之间插入有保护电路。保护电路包括由形成在绝缘表面上的半导体膜构成的二极管。以分布于各杂质区的整体的方式形成用来将二极管的N型杂质区及P型杂质区连接到保护电路的第一层导电膜的接触孔。此外，以存在于半导体膜上并且分散的方式形成用来将保护电路的第一层导电膜和第二层导电膜连接的接触孔。通过如此形成接触孔，可以降低二极管和端子之间的布线电阻，并且可以将二极管的半导体膜的整体有效地用作整流元件。

主权项

1.一种半导体装置，包括：第一端子；第二端子；电连接到所述第一端子及所述第二端子的功能电路；以及用来保护所述功能电路免受过电压的插入在所述第一端子和所述第二端子之间的保护电路，其中，所述保护电路包括：形成在绝缘表面上并具有形成有n型杂质区及p型杂质区的半导体膜的二极管；形成在所述半导体膜上的第一绝缘膜；形成在所述第一绝缘膜上并具有用来连接到所述n型杂质区的多个电连接部的第一导电膜；形成在所述第一绝缘膜上并具有用来连接到所述p型杂质区的多个电连接部的第二导电膜；形成在所述第一导电膜及所述第二导电膜上的第二绝缘膜；形成在所述第二绝缘膜上的第三导电膜，该第三导电膜电连接到所述第一端子，并具有用来连接到所述第一导电膜的多个电连接部；形成在所述第二绝缘膜上的第四导电膜，该第四导电膜电连接到所述第二端子，并具有用来连接到所述第二导电膜的多个电连接部；用来形成所述n型杂质区和所述第一导电膜的所述多个电连接部的多个第一开口，该多个第一开口以使该多个电连接部分布于整个所述n型杂质区上的方式形成在所述第一绝缘膜中；用来形成所述p型杂质区和所述第二导电膜的所述多个电连接部的多个第二开口，该多个第二开口以使该多个电连接部分布于整个所述p型杂质区上的方式形成在所述第一绝缘膜中；用来形成所述第一导电膜和所述第三导电膜的所述多个电连接部的多个第三开口，该多个第三开口以使该多个电连接部形成在所述半导体膜上并部分地形成在所述第一导电膜上的方式形成在所述第二绝缘膜中；以及用来形成所述第二导电膜和所述第四导电膜的所述多个电连接部的多个第四开口，该多个第四开口以使该多个电连接部形成在所述半导体膜上并部分地形成在所述第二导电膜上的方式形成在所述第二绝缘膜中。