发明名称 可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法
摘要 本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法,是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配,达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术,则是在芯片两面,分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽,而在芯片正面,与组件微结构同面的沟槽,深度则等同于所需求的微结构尺寸;反之在芯片背面的沟槽深度,则无须特别定义,只须待最后待组件释放的同时,背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时,组件将会由整片芯片上自动分离,由原本的蚀刻液中,落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中,进而停止蚀刻,借此达到组件微结构尺寸的控制。
申请公布号 CN100580886C 申请公布日期 2010.01.13
申请号 CN200510072280.8 申请日期 2005.05.27
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 林韦至;张惠玲;蔡晴翔;梁兆钧;谢建文;李裕文
分类号 H01L21/306(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;C23F1/40(2006.01)I;C23F11/18(2006.01)I 主分类号 H01L21/306(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 梁 挥;祁建国
主权项 1、一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法,其特征在于,包含如下步骤:提供一结构尺寸蚀刻控制液,该蚀刻控制液包含一蚀刻液及一蚀刻停止液,该蚀刻停止液的比重大于该蚀刻液,使该蚀刻液于该蚀刻停止液上方形成一蚀刻区,而该蚀刻液下方的该蚀刻停止液则形成一蚀刻停止区;提供一基板,该基板具有第一表面与第二表面,于该第一表面具有至少一厚度控制沟槽及至少一微结构,该厚度控制沟槽围绕一个以上的该微结构,该第二表面对应于该厚度控制沟槽的位置,具有至少一蚀刻沟槽;将该基板置于该蚀刻区;及进行蚀刻,使该基板的该蚀刻沟槽贯通于该厚度控制沟槽,致使该微结构由该基板分离落至该蚀刻停止区。
地址 台湾省新竹县