| 发明名称 | 一种复合型的场效应晶体管结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种复合型的场效应晶体管结构，它包括：横向双扩散N型金属氧化物场效应管(NLDMOS)和N型结型场效应管(NJFET)。本发明也揭示了一种复合型场效应管的制造方法，它包含：将N型外延(102)内的N+扩散层(112)形成所述NLDMOS和所述NJFET共同的漏区，并且将所述N型外延(102)的所述N+扩散层(112)形成连接电极作为所述NLDMOS和所述NJFET共同的漏极。采用本发明的所述结构和制造方法，可有效降低芯片面积，不仅能提供NLDMOS的栅极初始电压，还可有效关断NLDMOS，从而极大地降低功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN100580928C | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200610149078.5 | 申请日期 | 2006.11.24 |
| 申请人 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 发明人 | 姚云龙;吴建兴;张邵华 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李家麟;王 勇 |
| 主权项 | 1.一种复合型场效应晶体管结构，其特征在于，它包含：横向双扩散金属氧化物场效应管LDMOS和结型场效应管JFET，所述的LDMOS和所述的JFET均有各自的源区和栅区，并且所述的LDMOS和所述的JFET共用相同的漏区，所述LDMOS和所述JFET分别是增强型NLDMOS和NJFET，所述NJFET包括：将所述NLDMOS的漏区作为所述的NJFET的漏区，其中N型外延(102)上的第一N+扩散层(112)形成连接电极作为所述NJFET的漏极；P型基底(101)和N型外延(102)内的P阱(110)作为所述NJFET的栅区，其中P阱(110)内的第一P+扩散层(108)和P型上隔离层(105)内的第二P+扩散层(106)形成连接电极作为所述NJFET的栅极，相对于所述NLDMOS栅区且靠近LDMOS源极侧的N型外延(102)上的第二N+扩散层(107)形成连接电极作为所述NJFBT的源极。 | ||
| 地址 | 310012浙江省杭州市黄姑山路4号 | ||