| 发明名称 | 光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统 | ||
| 摘要 | 光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统，光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100580942C | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200710128400.0 | 申请日期 | 2007.07.10 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 浦贤一郎;福元嘉彦;片冈有三 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦 晨 |
| 主权项 | 1.一种光电转换器件，包括：第一导电类型的第一半导体区；第二导电类型的第二半导体区，与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件；栅电极，将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区；隔离区，用于将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离；以及布置在隔离区上用于将电压施加到栅电极的布线，其中杂质浓度低于第四半导体区的杂质浓度的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||