| 发明名称 | 通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的制作方法，包括：1)对硅衬底进行氟离子注入；2)对所述硅衬底进行氮离子注入；3)对所述硅衬底进行硼离子注入；4)对所述硅衬底进行氮气退火。本发明通过采用氟、氮、硼混合注入的技术，利用氟元素、氮元素的共同作用来抑制硼扩散，提升对于硼扩散的抑制效果，从而实现硼掺杂的超浅结。本发明方法操作简单，离子注入后，在普通快速退火炉中就能实现超浅结的制作，消除了对较高的快速退火设备的依赖。它广泛应用于半导体制造技术领域。 | ||
| 申请公布号 | CN101625969A | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200910104541.8 | 申请日期 | 2009.08.05 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 发明人 | 王学毅;张扬波;张正元;谭开洲 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法，其特征在于，该方法步骤包括：1)对硅衬底进行氟离子注入；2)对所述硅衬底进行氮离子注入；3)对所述硅衬底进行硼离子注入；4)对所述硅衬底进行氮气退火。 | ||
| 地址 | 400060重庆市南岸区南坪花园路14号 | ||