一种形成介电质以及形成半导体装置的方法

摘要

本发明是有关于一种形成介电质的方法，该方法包括在制造工艺室中提供具有含硅半导体层的基材，其中该制造工艺室可将制造工艺前驱物离子化为包括含氧成分与含氟碳成分的等离子体。而藉由该等离子体可使含硅材料的表面部分氧化，以将该表面部分转变为氧化介电材料。

主权项

1、一种形成介电质的方法，其特征在于其包括以下步骤：在一制造工艺室中，提供一包括含硅材料的一基材，其中该制造工艺室是可将一制造工艺前驱物离子化为一等离子体，该等离子体包括一含氧成分与一含氟碳成分；以及利用该等离子体氧化该含硅材料的一表面部分，以将该表面部分转变为一氧化介电材料。