发明名称 |
用于包括耦合补偿的非易失性存储器读取操作的边际化相邻者读取 |
摘要 |
存储于非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上的表观电荷的移位可能由于基于存储于邻近浮动栅极(或其它邻近电荷存储元件)中的电荷的电场的耦合而发生。所述问题最显著地发生于已在不同时间处被编程的若干组邻近存储器单元之间。为了解决此耦合,对特定存储器单元的读取过程将向邻近存储器单元提供补偿,以便减小所述邻近存储器单元对所述特定存储器单元造成的耦合效应。在读取所述邻近单元以确定适当补偿时,可使用边际化读取电压。 |
申请公布号 |
CN101627442A |
申请公布日期 |
2010.01.13 |
申请号 |
CN200780051240.2 |
申请日期 |
2007.12.27 |
申请人 |
桑迪士克股份有限公司 |
发明人 |
尼玛·穆赫莱斯 |
分类号 |
G11C16/26(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
刘国伟 |
主权项 |
1.一种读取非易失性存储器的方法,其包含:在对选定非易失性存储元件的读取过程期间以第一电压电平向未选定非易失性存储元件施加对应于特定状态的读取电压以确定所述未选定非易失性存储元件的条件,所述选定非易失性存储元件相邻于所述未选定非易失性存储元件;在所述读取过程期间以第二电压电平向所述选定非易失性存储元件施加所述读取电压;在向所述选定非易失性存储元件施加所述读取电压时基于所述未选定非易失性存储元件的所述条件而针对所述未选定非易失性存储元件使用特定电压;及在所述读取过程期间感测所述选定非易失性存储元件的条件。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |