氮化物半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种制造方法，其易于生产包含具有出色平直度和结晶性的外延膜的氮化物-基半导体装置，并使得通过这种方法制造的氮化物-基半导体装置是可利用的。氮化物半导体装置在半导体衬底上形成，半导体衬底是一种包含第3B族元素及氮的化合物，此第3B族元素适合于与氮形成化合物，制造氮化物半导体装置的方法包括将半导体衬底(1)加热到膜-沉积温度、给衬底提供包含第3B族元素源气体和氮源气体的膜-沉积气体、及在半导体衬底上外延生长薄膜(2)的步骤，薄膜(2)是包含第3B族元素和氮的化合物；该方法在外延生长步骤之前还提供有将半导体衬底加热到预处理温度的步骤，以清洁半导体衬底表面，该预处理温度低于膜-沉积温度。

主权项

1.一种制造氮化物-基半导体装置的方法，该氮化物-基半导体装置形成在半导体衬底上，该半导体衬底是一种包含第3B族元素和氮的化合物，所述第3B族元素用于与氮形成化合物，这种氮化物半导体装置的制造方法包括如下步骤：将半导体衬底加热到膜-沉积温度，给衬底提供膜-沉积气体，该膜-沉积气体包含第3B族元素的源气体和氮源气体，在此半导体衬底上外延生长一种含有第3B族元素和氮的化合物薄膜；及在外延生长步骤之前，安排了将半导体衬底加热到预处理温度的步骤，该预处理温度低于膜-沉积温度，以便清洁半导体衬底的正面，其中在半导体衬底清洁步骤中提供了一种预处理气体，此预处理气体中第3B族元素源气体的比例被降低到低于外延生长步骤的膜-沉积气体中第3B族元素源气体的比例或者不含第3B族元素源气体，其中所述半导体衬底的表面粗糙度以均方根RMS粗糙度计，为15nm或低于15nm。