| 发明名称 | 用于制备氮化硅间隙壁结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供用于半导体衬底上制备间隙壁结构的方法的实施例。在一个实施例中，用于在半导体衬底上制备间隙壁结构的方法包括提供包含基底结构的衬底，所述间隙壁结构将被形成在所述基底结构上。间隙壁结构通过如下步骤形成在基底结构上：在所述基底结构上沉积包括氮化硅的第一层；在所述第一层上沉积包括基于硅的电介质材料的第二层；以及在所述第二层上沉积包括氮化硅的第三层。第一、第二和第三层在一个处理反应器中沉积。 | ||
| 申请公布号 | CN100580890C | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200610140931.7 | 申请日期 | 2006.10.17 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | R·苏亚那拉亚南;萨恩吉夫·唐顿 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 肖善强 |
| 主权项 | 1.一种用于在半导体衬底上制备间隙壁结构的方法，包括：提供包含基底结构的衬底，所述间隙壁结构将被形成在所述基底结构上；以及通过如下步骤形成所述间隙壁结构：(a)在所述基底结构上沉积包括氮化硅的第一层；(b)在所述第一层上沉积包括基于硅的电介质材料的第二层；以及(c)在所述第二层上沉积包括氮化硅的第三层；其中，步骤(a)-(c)在一个处理反应器中进行，并且其中步骤(b)还包括在沉积第二层时保持所述处理反应器中10-350Torr的室压强。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||