| 发明名称 | 相变化存储器阵列及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种相变化存储器阵列及其制造方法。该相变化存储器阵列包括第一单元与第二单元。该第一单元包括一图形化相变化层，该第二单元包括一图形化相变化层。第一单元的图形化相变化层和第二单元的图形化相变化层位于不同层。 | ||
| 申请公布号 | CN100580944C | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200710180155.8 | 申请日期 | 2007.10.10 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 赵得胜 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种相变化存储器阵列，包括：第一单元，包括一图形化相变化层；第二单元，包括一图形化相变化层；多个开关元件，分别电性连接该第一单元或该第二单元，其中该第一单元的图形化相变化层和该第二单元的图形化相变化层位于不同层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||