SONOS存储器的制作方法

摘要

本发明提供一种SONOS存储器的制作方法，包括以下步骤：在衬底上依次淀积氧化硅层和氮氧化硅层；在所述氮氧化硅层上面涂一层光刻胶；去除部分所述光刻胶，形成逻辑区域；去除所述逻辑区域的氮氧化硅层；去除所述逻辑区域的底部氧化层；在所述氮氧化硅层及逻辑区域上面生长顶部氧化层；去除所述逻辑区域的顶部氧化层；生长栅氧化层；形成SONOS和逻辑区域的器件结构。本发明有效地避免了顶部氧化层发生损伤和在湿法刻蚀中发生侧向刻蚀，从而能够提高器件的良率。

主权项

1.一种SONOS存储器的制作方法，其特征在于包括以下步骤：在衬底上依次淀积第一氧化层和氮氧化硅层；在所述氮氧化硅层上涂布光刻胶；去除部分所述光刻胶，将衬底上未被光刻胶覆盖的区域设为逻辑区域；用干法刻蚀去除所述逻辑区域的所述氮氧化硅层；用湿法刻蚀去除所述逻辑区域的所述第一氧化层；去除剩余光刻胶，在上述结构表面生长第二氧化层；用湿法刻蚀去除所述逻辑区域的第二氧化层；在所述第二氧化层和所述逻辑区域表面生长栅氧化层；在所述栅氧化层上淀积多晶硅，对所述逻辑区域的多晶硅进行光刻和刻蚀处理，形成SONOS存储器。