通过移除对字线数据的预充电相依性而以减少的编程干扰对非易失性存储器进行编程

摘要

在编程期间使未选定群组非易失性存储元件升压以减少或消除对连接到选定字线的作为目标但未选定的存储器单元的编程干扰。在将编程电压施加到所述选定字线且使所述未选定群组升压之前，对所述未选定群组进行预充电，以通过为所述未选定群组提供较大升压电位来进一步减少或消除编程干扰。在预充电期间，在较高电压下为可能已经受部分编程的某些存储器单元提供一个或一个以上预充电启用信号。

主权项

1.一种作为对非易失性存储装置进行编程的部分而执行的方法，其包含：在将编程信号施加到一群组未选定非易失性存储元件中的特定非易失性存储元件之前对所述群组进行预充电，所述群组包括相对于所述特定非易失性存储元件位于所述群组的漏极侧上的第一组一个或一个以上非易失性存储元件及第二组两个或两个以上非易失性存储元件，所述第一组已经受部分编程，所述预充电包括将一个或一个以上第一预充电启用信号施加到所述第一组一个或一个以上非易失性存储元件及将一个或一个以上第二预充电启用信号施加到所述第二组两个或两个以上非易失性存储元件，所述一个或一个以上第一预充电启用信号处于比所述一个或一个以上第二预充电启用信号高的电压；以及在对所述群组未选定非易失性存储元件进行预充电之后，将所述编程信号施加到所述特定非易失性存储元件。