基板处理方法和半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种基板处理方法和半导体装置的制备方法。该基板处理方法包括步骤：将被处理基板的一侧表面接合到支撑基板；在被处理基板被支撑基板支撑的状态下处理被处理基板；以及从被处理基板除去支撑基板。将被处理基板接合到支撑基板的步骤包括熔化形成在被处理基板上以接合被处理基板到支撑基板的接合凸点，以及从被处理基板除去支撑基板的步骤包括抛光支撑基板以除去支撑基板。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括步骤：制备在其表面上每个提供有用于外部连接的凸点的多个第一半导体芯片；经由所述凸点将所述多个第一半导体芯片与支撑基板接合；利用绝缘材料填充所述多个第一半导体芯片之间的空间以在所述支撑基板上形成假拟晶片；抛光所述假拟晶片以减小各所述第一半导体芯片的厚度；在每个所述第一半导体芯片的背面上，形成电连接到所述凸点的外部连接端子；在所述外部连接端子上安装第二半导体芯片；通过抛光除去所述支撑基板以露出所述凸点；以及以芯片为单位划片所述假拟晶片。