发明名称 |
低介电常数BCB树脂的固化方法 |
摘要 |
一种低介电常数BCB树脂的固化方法,具体步骤如下:步骤1:在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂;步骤2:通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态BCB树脂,接着将涂覆好BCB树脂的半导体芯片放入固化炉中,并通入氮气保护;步骤3:加热固化炉,使涂覆BCB树脂的半导体芯片达到一第一温度,稳定一段时间,使BCB树脂中的溶剂分布均匀;步骤4:再将加热固化炉升高到一第二温度,稳定一段时间,使BCB树脂中的溶剂充分挥发;步骤5:再将加热固化炉升高至一第三温度,稳定一段时间,在半导体芯片表面形成低介电常数的树脂薄膜;步骤6:将加热固化炉的温度降至一预定温度,关氮气,取出样品,完成固化工艺。 |
申请公布号 |
CN101625983A |
申请公布日期 |
2010.01.13 |
申请号 |
CN200810116413.0 |
申请日期 |
2008.07.09 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
程远兵;周帆;潘教青;陈娓兮;王圩 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;B05D3/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
1.一种低介电常数BCB树脂的固化方法,其是采用阶梯升温的方式来固化BCB树脂,包括三种阶梯固化温度,其特征在于,具体步骤如下:步骤1:首先在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂;步骤2:通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态BCB树脂,接着将涂覆好BCB树脂的半导体芯片放入固化炉中,并通入氮气保护;步骤3:加热固化炉,使涂覆BCB树脂的半导体芯片达到一第一温度,稳定一段时间,使BCB树脂中的溶剂分布均匀;步骤4:再将加热固化炉升高到一第二温度,稳定一段时间,使BCB树脂中的溶剂充分挥发;步骤5:再将加热固化炉升高至一第三温度,稳定一段时间,在半导体芯片表面形成低介电常数的树脂薄膜;步骤6:将加热固化炉的温度降至一预定温度,关氮气,取出样品,完成固化工艺。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |