| 发明名称 | 具有铼掺杂剂的有机电子器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种有机电子器件及其制造方法。所述器件包含基体、第一电极、在该第一电极上的第一半导电层、在该第一半导电层上的有机功能层以及在该有机功能层上的第二电极。所述第一或第二电极是可以设置在所述基体上的。所述半导电层是用掺杂剂掺杂的，所述掺杂剂包含铼化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101627485A | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200880006927.9 | 申请日期 | 2008.02.05 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 冈特·施密德;布丽塔·戈茨;卡斯藤·霍伊泽尔;沃尔夫冈·舍雷尔;鲁道夫·赫尔曼;恩斯特-威廉·沙伊特 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 1.一种有机电子器件，其包含-基体(1)，-第一电极(2)，-在第一电极(2)上的第一半导电层(3)，-在半导电层(3)上的有机功能层(4)，和-在有机功能层(4)上的第二电极(5)，其中第一电极(2)或第二电极(5)设置在基体(1)上，且半导电层(3)是用掺杂剂掺杂的，所述掺杂剂包含铼化合物。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||