封装导电结构及其制造方法

摘要

本发明是一种用于半导体基材的封装导电结构及其制造方法，该封装导电结构包含一凸块下金属层覆盖于半导体基材的衬垫上，然后于凸块下金属层上设置至少一辅助件，再覆盖一凸块导电层，最后再设置一凸块于凸块导电层上。借此，该凸块可通过凸块下金属层及凸块导电层，与半导体基材的衬垫电性连接，并提供较佳的接合缓冲能力及导电性质。

主权项

1.一种封装导电结构，用于一半导体基材，该半导体基材上包含一衬垫，该封装导电结构包含：一凸块下金属层，与该半导体基材的衬垫电性连接，其中该凸块下金属层具有一中央区域及一周缘区域，以形成一容置空间；至少一辅助件，设置于该容置空间内，且于该凸块下金属层的中央区域上；一凸块导电层，覆盖于该凸块下金属层及该至少一辅助件；以及一凸块，设置于该凸块导电层上；其中，该凸块下金属层是于该中央区域与该衬垫接合，借此，该凸块通过该凸块导电层及该凸块下金属层，可与该半导体基材的衬垫电性连接。