发明名称 |
等离子体处理装置的腔室内部件的温度控制方法、腔室内部件和基板载置台、以及具备它的等离子体处理装置 |
摘要 |
本发明提供等离子体处理装置的腔室内部件的温度控制方法、腔室内部件和基板载置台、以及具备它的等离子体处理装置。其将等离子体处理中使用的各种部件的温度从等离子体处理开始的阶段控制为最佳温度。其为对被处理基板实行等离子体处理的等离子体处理装置内使用的腔室内部件的温度控制方法,在上述腔室内部件设置多个供电部,通过上述供电部供给电力并加热,并且测定上述腔室内部件的电阻值或者电阻率,基于由上述电阻值或者电阻率推测的上述腔室内部件的温度控制上述电力。 |
申请公布号 |
CN101625952A |
申请公布日期 |
2010.01.13 |
申请号 |
CN200910139870.6 |
申请日期 |
2009.07.07 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
舆水地盐;岩田学;松土龙夫 |
分类号 |
H01J37/02(2006.01)I;G05D23/00(2006.01)I;H01J37/20(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 |
代理人 |
龙 淳 |
主权项 |
1.一种腔室内部件的温度控制方法,该腔室内部件在对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置内使用,其特征在于:在所述腔室内部件设置多个供电部,通过所述供电部供给电力并进行加热,并且测定所述腔室内部件的电阻值或者电阻率,基于由所述电阻值或者电阻率推测的所述腔室内部件的温度控制所述电力。 |
地址 |
日本东京都 |