可整合半导体制程的微机电前处理制造方法及其结构

摘要

本发明公开了一种可整合半导体制程的微机电前处理制造方法及其结构，于一硅基底上表面形成至少一内具微机电结构的绝缘层，微机电结构包含彼此独立的至少一微结构与金属电路，绝缘层成型一与金属电路电性链接的金属连接层，金属连接层外露于绝缘层表面上受一保护层覆盖进行蚀刻，或金属连接层内藏于绝缘层表面下受绝缘层覆盖进行蚀刻，避免金属连接层于蚀刻过程遭受侵蚀而破坏结构，使外部导体透过与金属连接层电性链接，使金属电路透过打线与外部接合进行传输讯号。

主权项

1、一种可整合半导体制程的微机电结构制造方法；其特征在于，包括下述步骤：于硅基底上表面形成内具微机电结构的绝缘层，所述微机电结构包含彼此独立的至少一微结构与数个金属电路，所述绝缘层成型一与所述金属电路电性链接的金属连接层，判断所述金属连接层外露于所述绝缘层表面上，所述金属连接层上形成一保护层；所述绝缘层进行蚀刻，所述金属连接层受所述保护层保护，避免所述金属连接层受蚀刻侵蚀破坏；所述绝缘层于表面形成一光阻层，使所述金属连接层上的保护层外露；所述金属连接层上的保护层经蚀刻去除，使所述金属连接层外露于所述绝缘层表面；以及所述绝缘层上的光阻层经蚀刻去除。