光阻图案的形成方法及光掩模的制造方法

摘要

本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。

主权项

1.一种光阻图案的形成方法，其特征在于：是在被加工基板上形成最小线宽或最小间隔宽为65纳米以下的图案，其中包含以下步骤：将含有基质聚合物的化学增幅型正型光阻组合物，涂布在被加工基板上，并通过加热来除去残留在涂布膜中的过剩的溶剂成分而得到光阻膜的步骤；以高能量线来将图案曝光的步骤；以及使用显像液进行显像的步骤；其中，对于至少含有1种或2种以上的以下述通式(1)(式中，R¹是表示氢原子或甲基，R²是表示碳数1～6的烃基或烷氧基烃基的任一种；又，t是0～2的整数，s是0～4的整数，0≤s+t≤5)表示的单体单元(其中，必须包含t为1以上的单元)，进而，含有1种或2种以上的以下述通式(2)(式中，R³是表示羟基、碳数1～6的烃基、烷氧基烃基的任一种，u是0～4的整数)表示的单体单元；及/或1种或2种以上的以下述通式(3)(式中，R⁴是表示羟基、碳数1～6的烃基、烷氧基烃基的任一种，v是0～4的整数)表示的单体单元；并且，上述通式(1)～(3)的单体的合计是占有构成聚合物的总单体单元的95摩尔％以上，且以上述通式(1)表示的单体是含有2种以上时，相对于上述通式(1)整体，t为1以上者的占有比率为70摩尔％以上；进而，相对于构成聚合物的总单体单元，以上述通式(2)与上述通式(3)表示的单体单元的合计为5～30摩尔％，且其重量平均分子量为4,000～7,000的聚合物；将上述通式(1)的单体单元的酚性羟基的一部分是被酸分解性保护基保护的聚合物，作为上述基质聚合物。