| 摘要 |
本发明提供使用一电浆原子层沈积(ALD)制程来沈积一薄层之方法，该方法系包括：投入包含金属原子之一有机化合物来源与包含金属原子之一无机化合物来源此两者之一至一反应腔，在此反应腔中，一晶圆已载入其中；将来源从该反应腔清泄；投入一第一反应物至该反应腔；将该第一反应物之一未反应部分及该来源反应所产生之副产品从该反应腔清泄；当投入一第二反应物至该反应腔时，施予电浆，以改善薄层之品质；以及将第二反应物之一未反应部分及该来源与该第二反应物反应所产生之副产品从该反应腔清泄。重复一循环，该循环系包括：投入该来源、清泄该来源、投入该第一反应物、清泄该第一反应物之未反应部分与副产品、投入该第二反应物时施予该电浆、及清泄该第二反应物之未反应部分与副产品，直到该薄层沈积于该晶圆上。 |
