发明名称 积层电容器
摘要 提供一种能提升高频带的衰减特性之积层电容器。电容器本体1具备交互地经由介电体层而积层之第1,第2电极图案31,32。第1电极图案31具有第1内部电极41,第1内部电极41系连接于第1,第2外部电极21,22。第2电极图案32具有第2内部电极42,和第3内部电极43,第2内部电极42系连接于第3,第4外部电极23,24,第3内部电极43系设在与第2内部电极42同一层上,并连接于第3,第4外部电极23,24之一方,亦即,连接于第3外部电极23。
申请公布号 TWI319583 申请公布日期 2010.01.11
申请号 TW095120734 申请日期 2006.06.12
申请人 TDK股份有限公司 发明人 富樫正明;福永达也
分类号 H01G4/30;H01G4/005 主分类号 H01G4/30
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项 一种积层电容器,系为包含电容器本体,和设在电容器本体外面的第1至第4外部电极之积层电容器,其中前述电容器本体具备经由介电体层交互地积层之第1、第2电极图案,前述第1电极图案,具有第1内部电极,前述第1内部电极系连接到前述第1、第2外部电极两者,前述第2电极图案,具有第2内部电极、和第3内部电极,前述第2内部电极系连接到前述第3、第4外部电极两者,前述第3内部电极系与前述第2内部电极设在同一层上,并连接到前述第3、第4外部电极中的一方。
地址 日本