| 摘要 |
本发明系揭示一种决定其相对于一晶体标靶之一第一通道的一离子束植入器之一离子束的束扭转及/或校准倾斜角度之方法。该种方法系可运用以校准机器至一准确度，其为可相比于该角度之变异的精密度。该种方法包括步骤：(a)提供参考资料，其定义介于该束倾斜与扭转角度之间的一已知关系以及于晶体标靶之至少一个预选的第二通道之束通道，该资料之至少某些者系提供第一与第二参考倾斜角度，于其，通道系存在于一给定的扭转角度，第一与第二倾斜角度系不同；(b)不变化扭转角度，测量约为环绕该第一与第二参考倾斜角度各者之估计倾斜角度的一范围之通道严密性，且由该等测量而决定于各个范围内之最大通道严密性的一点；及(c)比较该等决定点与参考资料，以决定扭转角度及/或校准倾斜角度。 |
