| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Silizium-auf-Isolator-Substrats |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69941652(D1) |
申请公布日期 |
2010.01.07 |
| 申请号 |
DE19996041652 |
申请日期 |
1999.06.16 |
| 申请人 |
CANON K.K. |
发明人 |
SAKAGUCHI, KIYOFUMI;SATO, NOBUHIKO |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/762;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/324;H01L27/12 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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