Verfahren zur Herstellung einer Materialschicht in einem Halbleiterkörper

摘要

Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer in einem Halbleiterkörper angeordneten Fremdmaterialschicht, das aufweist: Herstellen eines Grabens, der zwei gegenüberliegende Seitenwände und einen Boden aufweist, in dem Halbleiterkörper; Herstellen einer Fremdmaterialschicht auf einer ersten der beiden Seitenwände des Grabens; Auffüllen des Grabens durch epitaktisches Abscheiden eines Halbleitermaterials auf die zweite der beiden Seitenwände und den Boden des Grabens.