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发明名称 TRANSISTOR-GATE-ELEKTRODE MIT LEITER-MATERIALSCHICHT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
摘要
申请公布号 DE602004024332(D1) 申请公布日期 2010.01.07
申请号 DE200460024332T 申请日期 2004.12.22
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 MURPHY, ANAND;BOYANOV, BOYAN;DATTA, SUMAN;DOYLE, BRIAN S.;JIN, BEEN-YIH;YU, SHAOFENG;CHAU, ROBERT
分类号 H01L29/10;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L29/49 主分类号 H01L29/10
代理机构 代理人
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