TFT SAS存储单元结构

摘要

本发明提供具有薄膜晶体管(TFT)硅-氧化铝-硅(SAS)存储单元结构的器件。该器件包括衬底、在衬底上的介电层和嵌入该介电层的一个或多个源极或漏极区。介电层与第一表面相联。一个或多个源极或漏极区的每个包括在扩散势垒层上的N⁺多晶硅层，所述扩散势垒层在导电层上。该N⁺多晶硅层具有与第一表面基本共面的第二表面。另外，所述器件包括覆盖所述共面表面的P^-多晶硅层、覆盖所述P^-多晶硅层的氧化铝层和覆盖所述氧化铝层的至少一个控制栅极。在一个具体的实施方案中，该控制栅极用高度掺杂的P⁺多晶硅层制成。本发明提供了制造TFT SAS存储单元结构的方法，并可以重复以三维集成所述结构。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管(TFT)硅-氧化铝-硅(SAS)存储单元结构的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成一个或多个源极或漏极区，所述一个或多个源极或漏极区的每个与第一表面相联并包括N+多晶硅层、势垒层、和导电层，所述N+多晶硅层在所述势垒层上，所述势垒层覆盖所述导电层，所述第一表面由N+多晶硅构成；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层与第二表面相联，所述第二表面与所述第一表面基本共面；形成覆盖所述第一表面和第二表面的P-多晶硅层，所述P-多晶硅层能够形成从所述源极区到所述漏极区的沟道；形成覆盖所述P-多晶硅层的氧化铝层；形成覆盖所述氧化铝层的P+多晶硅层；和通过图案化所述P+多晶硅层形成至少一个控制栅极。