发明名称 |
具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板,该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P-N整流结。P-N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层,该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层,第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。 |
申请公布号 |
CN101621083A |
申请公布日期 |
2010.01.06 |
申请号 |
CN200910139382.5 |
申请日期 |
2009.05.13 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金允基;金相澔;李斗烈 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/072(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
张 波 |
主权项 |
1.一种太阳能电池,包括:基板,具有在所述基板上的光收集表面和在所述基板中的P-N整流结,所述P-N整流结包括在所述基板中的第一导电型的基区和在所述基区与所述光收集表面之间延伸的第二导电型的半导体层;沟槽,延伸通过第二导电型的所述半导体层并进入第一导电型的所述基区;第一电极,邻近所述沟槽的底部电耦接到第一导电型的所述基区;透光导电层,在第二导电型的所述半导体层上;以及第二电极,电耦接到第二导电型的所述半导体层和所述透光导电层。 |
地址 |
韩国京畿道 |